H4n zoom 4ch mode

H4N Zoom

SANNCE Système de vidéosurveillance CCHT 4CH 1080N avec 5-en-1 1080N H.264 DVR

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

Electricité Domotique, automatismes et sécurité Vidéosurveillance Kit de vidéosurveillance SANNCE, Points Bullet: * Visionnage en direct HD 1080p: Profitez d'une image cristalline jour et nuit avec le filtre anti-infrarouge automatique de l'appareil photo; vision nocturne couvre jusqu'à 100

H2n - Enregistreur 4 pistes portable XY et Mid-Side

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Enregisteur Numérique 4 Pistes (2 Stéréo). Entrée de pression acoustique maximale: 120 dB spl (directionnel) et 122 dB spl (bidirectionnel) 5 Capsules Micros Offrant Un Enregistrement En Mode Ms Ou En Mode X/Y 90° Stéréo Formats D'Enregistrement : Wav 16/24Bit, 44.1/48Khz Wav 16/24Bit, 44.1/48/96Khz, Mp3 (De 48 À 320Kbps, 44.1Khz) Enregistrement Sur Carte SD/SDHC Jusqu'À 32GB Fonctions : Lecteur De Cartes Usb, Interface Audio Usb, Filtre Passe-Haut, Auto-Gain, Compresseur/Limiteur, Accordeur, Métronome, Vitesse De Lecture Variable, Édition, Mélangeur Et Encodage Mp3 Écran Lcd Rétro-Éclairé 128X64Pixels. Entrée Mic/Ligne : Mini-Jack 3,5mm (Plug-In Power Supporté).Sortie Casque/Ligne Sur Mini Jack 3.5mm Stéréo.Haut Parleur Intégré 400mW. Port Usb 2.0 Fonctionne Sur 2X Pile LR6 (Autonomie 20H En 16Bits/44,1Khz) Ou Alimentation Ad-17 (En Option) Livré Avec 1X Carte SD 2GB, Logiciel D'Édition Wavelab LE Et 2X Piles LR6 Poids : 130G Dimensions (mm) : 67 (L) X 42 (P) X 113 (H)

Zoom H4n Digital Recorder - with I Series Hard Case

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

SANNCE Système de vidéosurveillance CCHT 4CH 1080N avec 5-en-1 1080N H.264 DVR

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

Electricité Domotique, automatismes et sécurité Vidéosurveillance Kit de vidéosurveillance SANNCE, Points Bullet: * Visionnage en direct HD 1080p: Profitez d'une image cristalline jour et nuit avec le filtre anti-infrarouge automatique de l'appareil photo; vision nocturne couvre jusqu'à 100

Zoom H4n Pro Portable 4-track Enregistreur Audio (Neuf)

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

zoom Enregistreur ZOOM H2N 4 pistes portable

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Avec l'enregistreur ZOOM H2N 4 pistes portable, vous pouvez tout faire ! Il vous propose, en effet, de nombreuses fonctions et des capacités d'enregistrement très performantes portées par ses 5 microphones. Un enregistreur avec 5 microphones ! L'enregistre

Zoom H4n Pro Handy Recorder (Black)

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Authorized Dealer - Full USA Warranty

ZOOM H4N PRO enregistreur numérique

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ZOOM H4N PRO enregistreur numérique chez un spécialiste photo réputé

Zoom H4 Handy Recorder Multi 4 track Microphone 1 Go & Power Supply H2 H4N Pro H...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

ZOOM H2n micro enregistreur portatif 2 et 4 pistes

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ZOOM H2n micro enregistreur portatif 2 et 4 pistes, produit expédié sous 24h par un spécialiste photo français réputé

Zoom H4n Pro 4-Input / 4-Track Portable Handy Recorder with Onboard X/Y Mic Cap

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

Zoom Pch-4n housse h4nsp et h4npro

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PCH-4NSP Zoom est une housse de protection adaptée aux enregistreurs H4NSP et H4NPRO Zoom.Cette housse pour enregistreur numérique est conçue dans un matériau résistant à l'eau.

New Zoom H4N Pro Handy Recorder USB Interface Auth Dealer Warranty Best Offer!

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ZOOM RC-04 Télécommande à Fil pour H4n - 3 mètres

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La RC4 permet le démarrage et l'arrêt de l'enregistrement, Ou de la lecture, l'avance et le retour rapides dans vos fichiers, Fournie avec un câble de 2 mètres et un câble de rallonge de 3 mètres

Zoom H4n Pro - Registratore Digitale Professionale

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

RYCOTE Protection Micro Anti-Vent pour Zoom H4N

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

RYCOTE 055438, Protection Micro Anti-Vent, Pour Zoom H4N

Nouvelle annonce Zoom H4n Digital Recorder

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Rycote Mini Wind Screen f. Zoom H4N

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Rycote Mini Wind Screen f. Zoom H4N, Bonnette antivent, Convient pour Zoom H4n, H4n SP & H4n Pro, Couleur: gris (RY-055374)

Zoom H4n Pro Handy Recorder w/ Cubase LE H-4n Digital Handheld Portable

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

TDK Inductance à mode commun série MCZ-CH , 900 Ω, -40 → +85 °C, 2 x 1 x 0.5mm, MCZ2010CH900L4T

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

Inductance à mode commun série MCZ-CH TDK, 900 Ω, -40 → +85 °C, 2 x 1 x 0.5mm Boîtier : 2010 Profondeur : 1mm Longueur : 2mm Température d'utilisation maximum : +85°C Température d'utilisation minimum : -40°C, MPN: MCZ2010CH900L4T

Zoom H4n Handy Mobile 4-Track Recorder - SKU1198973

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

TDK Filtre à mode commun série MCZ-CH , 900 Ω, -40 → +85 °C, 2 x 1 x 0.5mm, MCZ2010CH900L4T

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Filtre à mode commun série MCZ-CH TDK, 900 Ω, -40 → +85 °C, 2 x 1 x 0.5mm Boîtier : 2010 Profondeur : 1mm Longueur : 2mm Température d'utilisation maximum : +85°C Température d'utilisation minimum : -40°C, MPN: MCZ2010CH900L4T

Zoom H4n PRO 4-Channel Handy Portable Recorder - ZH4NPRO

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

Rycote Mini Wind Screen for Zoom H4

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Rycote Mini Wind Screen Zoom H4N, Bonnette antivent pour Zoom H4N, Couleur: gris, RY-055355

Zoom H4n Pro All Black Handy Recorder w/Cubase LE H-4n Digital Handheld Portable

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

DiodesZetex N-CH Enhancement Mode MOSFET (3000), DMN53D0L-7

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

N-CH Enhancement Mode MOSFET Courant continu de Drain maximum : 500 mA Tension Drain Source maximum : 50 V Résistance Drain Source maximum : 4,5 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 1.5V Tension de seuil minimale de la grille : 0.8V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de boîtier : SOT-23

Zoom H4n Pro All Black Handy Recorder

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Rycote Portable Recorder Kit H-4N

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Rycote Portable Recorder Audio Kit H-4N, Suspension et accessoires pour Zoom H4N, Contient: 1x suspension pour enregistreur, 1x poignée en caoutchouc, 1x bonnette médium pour enregistreur portable, RY 046001

Zoom H2n Handy Handheld Digital Multitrack Recorder Bundle ZOH2NKIT

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

Omron Relais temporisé H3DT, 24 → 240 V c.a./c.c., 0,1 s → 100 h, Rail DIN, 4 contacts, H3DT-N2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Relais temporisé Omron H3DT, 24 → 240 V c.a./c.c., 0,1 s → 100 h, Rail DIN, 4 contacts Mode de fonctionnement : Temporisation de mise hors tension, temporisation de mise sous tension, départ sans oscillation, départ avec oscillation, intervalle Nombre de fonctions du minuteur : Multifonctions Alimentation :

Zoom Handy H4N PRO Digital Audio Portable Multitrack Recorder - 2016 Version

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 120 A 40 V H2PAK, 3 broches (5), STH175N4F6-2AG

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 40 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4n Pro 4-Channel Handy Recorder w/ Rode NTG2 Shotgun Microphone

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 80 A 40 V I2PAK (TO-262), 3 broches (500), IPI80N04S2H4AKSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 40 V I2PAK (TO-262), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2.1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Orig. Zoom H4N Digital Multi Track Recorder- no Battery lid (Comes with SD card)

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

ROHM MOSFET, Canal-N, 4 A 1700 V TO-268, 2 + Tab broches (2), SCT2H12NYTB

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 1700 V TO-268, 2 + Tab broches Résistance Drain Source maximum : 1,71 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 1.6V Tension Grille Source maximum : 22 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4n Pro Portable Handy Audio Recorder/Interface

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 180 A 60 V D2PAK (TO-263), 7 broches (10), IPB180N06S4H1ATMA2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 60 V D2PAK (TO-263), 7 broches Résistance Drain Source maximum : 1,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Zoom H4n Pro 4-Channel Handy Recorder w/ Zoom APH-4nPro Accessory Pack bundle

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 8 broches (5), STH320N4F6-6

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 1,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4n Pro Portable 4-Track Audio Enregistreur (Neuf)

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 250 A 60 V DFN, 4+Tab broches (1500), NTMFS5H600NLT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 250 A 60 V DFN, 4+Tab broches Résistance Drain Source maximum : 1,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Nombre de broche : 4 + Tab Mode canal : Enrichissement Catégorie

Zoom H4N Handy Recorder w/case, manual

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 160 A 40 V D2PAK (TO-263), 7 broches (10), IPB160N04S4H1ATMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 160 A 40 V D2PAK (TO-263), 7 broches Résistance Drain Source maximum : 0,0016 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Zoom H4N Pro with 4 FREE AA Batteries

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 80 A 40 V I2PAK (TO-262), 3 broches (50), IPI80N04S2H4AKSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 40 V I2PAK (TO-262), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2.1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Zoom H4N Handy Recorder w/ 2GB SD Card + Manual TESTED

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 300 A 40 V H-PSOF, 8 + Tab broches (2000), IPLU300N04S4R8XTMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 300 A 40 V H-PSOF, 8 + Tab broches Résistance Drain Source maximum : 770 μΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : 20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4N Handy Recorder OS-8802

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V MCHP, 3 broches (3000), MCH3474-TL-H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 30 V MCHP, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 130 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -8 V, +8 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

Zoom H4n PRO 4-Channel Handy Portable Recorder w/ Rycote 055438 Mini Windjammer

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 120 A 40 V H2PAK, 3 broches (1000), STH175N4F6-2AG

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 40 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4n Handy Recorder

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

ON Semiconductor MOSFET, N/P-Channel 3 A, 4 A 20 V EMH, 8 broches (25), EMH2604-TL-H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, N/P-Channel 3 A, 4 A 20 V EMH, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 115 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -10 V, +10 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Isolé Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation

ZOOM PCH-4N Custodia per Registratore digitale H4N e ZOOM H4n PRO

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 300 A 40 V H-PSOF, 8 + Tab broches (5), IPLU300N04S4R8XTMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 300 A 40 V H-PSOF, 8 + Tab broches Résistance Drain Source maximum : 770 μΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : 20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4n Pro Tout Noir Pratique Enregistreur

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

ON Semiconductor MOSFET, N/P-Channel 3 A, 4 A 20 V EMH, 8 broches (3000), EMH2604-TL-H

★ ★ ★ ★ ☆ 7,4/10

MOSFET, N/P-Channel 3 A, 4 A 20 V EMH, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 115 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -10 V, +10 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Isolé Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation

Zoom H4n Pro 4-Channel Handy Recorder Bundle w/ Zoom Accessory Pack & Headphone

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 160 A 40 V D2PAK (TO-263), 7 broches (1000), IPB160N04S4H1ATMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 160 A 40 V D2PAK (TO-263), 7 broches Résistance Drain Source maximum : 1,6 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Nouvelle annonce Like N E W Zoom H4N Pro Handy Recorder USB Interface Opened Box Never Used!

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 180 A 60 V D2PAK (TO-263), 7 broches (1000), IPB180N06S4H1ATMA2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 60 V D2PAK (TO-263), 7 broches Résistance Drain Source maximum : 1,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Zoom H4n Pro 4-Channel Pratique Enregistreur avec / Rode NTG2 Fusil Micro

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

ROHM MOSFET, Canal-N, 4 A 1700 V TO-268, 2 + Tab broches (800), SCT2H12NYTB

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 4 A 1700 V TO-268, 2 + Tab broches Résistance Drain Source maximum : 1,71 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 1.6V Tension Grille Source maximum : 22 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom PCH-4N étui de protection pour Zoom H4n+Pro Handy Recorder

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 250 A 60 V DFN, 4+Tab broches (5), NTMFS5H600NLT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 250 A 60 V DFN, 4+Tab broches Résistance Drain Source maximum : 1,7 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension de seuil minimale de la grille : 1.2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Nombre de broche : 4 + Tab Mode canal : Enrichissement Catégorie

ZOOM-h4n Pro Mobile Recorder

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 3 broches (5), STH320N4F6-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom H4N Pro avec 4 Gratuit Aa Piles

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 3 broches (1000), STH320N4F6-2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 1,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Zoom ZH4NPRO H4N PRO Digital Multitrack Recorder - 2016 Ve

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 8 broches (1000), STH320N4F6-6

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 200 A 40 V H2PAK, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 1,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ZOOM H6 Handy Enregistreur numérique 6 pistes Microphone 32 Go Mic Module H2N H4...

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 4,5 A 20 V MCHP, 3 broches (3000), MCH3477-TL-H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 4,5 A 20 V MCHP, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 99 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1.3V Tension Grille Source maximum : -12 V, +12 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

Zoom H4n Pro 4-Channel Pratique Portable Enregistreur avec / Rycote 055438 Mini

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

Infineon MOSFET, Canal-N, 100 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches (1000), IPB100N04S4H2ATMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 100 A 40 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,0027 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

REGISTRATORE MULTITRACCIA DIGITALE ZOOM H2N DIGITAL RECORDER 24 BIT h4n NUOVO

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

WORLD TECH TOYS Micro Drone radiocommandé 2.4GHz 4.5Ch - Spiderman - Marvel Avengers

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Les super héros sont aux commandes. Ce micro drone 4.5 Ch 2.4GHz a plus de 3 tours dans son sac. Avec sa stabilisation gyro incorporée et sa capacité de vol 3D. vous obtenez un vol étonnament fluide. qui est facile à controler. Vous voulez impressionner vos amis. appuyez sur le bouton Stunt Mode de l'émetteur

Zoom H4nPro H4n Pro Linéaire Pcm Ic Numérique Pratique Enregistreur

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

CAME Télécommande 4 canaux TOP864-EE 868 Mhz 4ch EX TOP-864EV

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

Electricité Domotique, automatismes et sécurité Dispositif de commande Télécommande et émetteur mural pour motorisations CAME, l'automatisation est venu - transmetteur 868,35mhz quadricanale top avec auto-apprentissage, 4096 combinaisons (16 777 216 IN tam mode) top-864ee fréquence 868,35mhz

Zoom H4n Pro 4-Channel Pratique Portable Enregistreur - ZH4NPRO

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Triton Perceuse à percussion T20CH 20V 4,0 Ah

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

Livré avec son sac de transport, la Triton T20CH est une perceuse-visseuse avec mode percussion et éclairage LED doté d'un mandrin sans clé Sanou de 13 mm. Comprend 2 batteries 4 Ah Li-Ion à cellules Samsung, un chargeur et un clip ceinture en métal solide.

Zoom H4n Pro Black

★ ★ ★ ★ ☆ 8,8/10

Zoom H4n Pro Black, Enregistreur portable MP3 / Wave, Résolution jusqu'à 24 bits / 96 kHz, Formats d'enregistrement: WAV, MP3 et le format BWF, Micros stéréo intégrés, peuvent être positionnés à 90° ou 120°, SPL max: 140 dB, Seuil de bruit amélioré (-120 dBu EIN), 2 entrées XLR niveau micro avec alimentation

Zoom H4n Pro Card Bundle

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

Zoom H4n Pro Card [email protected]+*Offre Bundle comprenant*, Zoom H4n Pro, Enregistreur portable MP3 / Wave, Résolution jusqu'à 24 bits / 96 kHz, Formats d'enregistrement: WAV, MP3 et le format BWF, Micros stéréo intégrés, peuvent être positionnés à 90° ou 120°, SPL max: 140 dB, Seuil de bruit amélioré (-120 dBu EIN)

Zoom H4n Pro

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

Zoom H4n Pro, Enregistreur portable MP3 / Wave, Résolution jusqu'à 24 bits / 96 kHz, Formats d'enregistrement: WAV, MP3 et le format BWF, Micros stéréo intégrés, peuvent être positionnés à 90° ou 120°, SPL max: 140 dB, Seuil de bruit amélioré (-120 dBu EIN), 2 entrées XLR niveau micro avec alimentation

Zoom H4n Pro APH-4n Bundle

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

Zoom H4n Pro APH-4n [email protected]+*Offre Bundle comprenant*, Zoom H4n Pro, Enregistreur portable MP3 / Wave, Résolution jusqu'à 24 bits / 96 kHz, Formats d'enregistrement: WAV, MP3 et le format BWF, Micros stéréo intégrés, peuvent être positionnés à 90° ou 120°, SPL max: 140 dB, Seuil de bruit amélioré (-120 dBu

SKB Zoom H4N

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

SKB Zoom H4N, Mallette de transport, Pour Zoom H4N et accessoires, Résiste aux projections d'eau, Valeur d'égalisation de pression ambiante automatique, Normes militaires, Dimensions (Extérieur): 272 x 246 x 121 mm, Poids: 1,18 kg

Infineon MOSFET, N/P-Channel 1,4 A, 1,5 A 30 V PG-TDSOP, 6 broches (3000), BSL316CH6327XTSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, N/P-Channel 1,4 A, 1,5 A 30 V PG-TDSOP, 6 broches Résistance Drain Source maximum : 270 mΩ, 280 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 2V Tension de seuil minimale de la grille : 1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Isolé Mode canal :

Rycote Portable Recorder Kit H1N

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Rycote Portable Recorder Kit H1N, Ensemble accessoires et bonnette anti-vent, Convient pour Zoom H1N Enregistreur portable, [email protected]+*Ensemble composé de :*@+, Mini Windjammer, Support d'enregistreur portable, Adaptateur pour sabot de flash 3/8"", Adaptateur 3/4"", Rallonge de poignée ""soft touch""

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches (10), NVMFS6H801NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 2,8 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Infineon Transistor MOSFET, Canal-N, 190 mA 800 V SOT-223, 3+Tab broches (1000), BSP300H6327XUSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

Transistor MOSFET, Canal-N, 190 mA 800 V SOT-223, 3+Tab broches Résistance Drain Source maximum : 20 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Nombre de broche : 3 + Tab Mode canal :

Infineon MOSFET, Canal-N, 300 mA 60 V SOT-23, 3 broches (100), 2N7002H6327XTSA2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 300 mA 60 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.5V Tension de seuil minimale de la grille : 1.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Infineon MOSFET, Canal-N, 21 mA 600 V SOT-23, 3 broches (25), BSS127H6327XTSA2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 21 mA 600 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 600 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.6V Tension de seuil minimale de la grille : 1.4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NTMFS6H800NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Infineon MOSFET, Canal-N, 300 mA 60 V SOT-23, 3 broches (3000), 2N7002H6327XTSA2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 300 mA 60 V SOT-23, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 2.5V Tension de seuil minimale de la grille : 1.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NVMFS6H818NWFT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Toshiba MOSFET, Canal-N, 800 mA 20 V 2-2H1S, 3 broches (3000), SSM3K56FS,LF(T

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 800 mA 20 V 2-2H1S, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 235 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1V Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : ±8 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

DiodesZetex MOSFET, Canal-N, 5,3 A 100 V POWERDI3333, 8 broches (3000), DMN10H120SFG-13

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, Canal-N, 5,3 A 100 V POWERDI3333, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 122 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode de canal : Enrichissement Dissipation de puissance maximum : 2,4

Infineon MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V D2PAK (TO-263), 3 broches (1000), IPB80N06S2H5ATMA1

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V D2PAK (TO-263), 3 broches Résistance Drain Source maximum : 0,0055 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2.1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches (1000), STH110N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 6,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, N/P-Channel 5,6 A, 9,3 A 20 V, 30 V SOIC, 8 broches (10), FDS4501H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, N/P-Channel 5,6 A, 9,3 A 20 V, 30 V SOIC, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 29 mΩ, 80 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Drain commun Mode canal : Enrichissement Dissipation de

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 80 V H2PAK-2, 3 broches (1000), STH270N8F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 80 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 21 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

Toshiba MOSFET, Canal-N, 800 mA 20 V 2-2H1S, 3 broches (100), SSM3K56FS,LF(T

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 800 mA 20 V 2-2H1S, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 235 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 1V Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : ±8 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches (1000), STH150N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,9 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 1,2 A 250 V SOT-89, 3 broches (1000), PCP1402-TD-H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 1,2 A 250 V SOT-89, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 3.5V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (10), NVMFS6H818NWFT1G

★ ★ ★ ★ ★ 9,1/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK-2, 3 broches (1000), STH180N10F3-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches (5), NTMFS6H800NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 80 A 100 V H2PAK-2, 3 broches (1000), STH80N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 100 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 9,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NVMFS6H818NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

Infineon MOSFET, Canal-N, 9,1 A 200 V A-220, 5 broches (50), IRFI4020H-117P

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 9,1 A 200 V A-220, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 100 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.9V Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Série Mode canal :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 120 A 80 V H2PAK, 2 broches (2), STH170N8F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 80 V H2PAK, 2 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de puissance maximum : 250 W Dimensions : 10.4 x

Infineon MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V A-220, 3 broches (500), IPP80N06S2H5AKSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V A-220, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 5,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2.1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches (5), NVMFS6H800NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 2,1 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NVMFS6H800NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 203 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 2,1 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (5), NTMFS6H818NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches (5), NTMFS6H801NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,1/10

MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 4,4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK, 3 broches (2), STH310N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,3 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 1,2 A 250 V SOT-89, 3 broches (20), PCP1402-TD-H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 1,2 A 250 V SOT-89, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 2,4 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 3.5V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NVMFS6H801NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,7/10

MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 2,8 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches (25), NVTFS6H850NTAG

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 9,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NTMFS6H801NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 7,5/10

MOSFET, Canal-N, 157 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 4,4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 80 V H2PAK-2, 3 broches (2), STH270N8F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 80 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 21 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches (1500), NVTFS6H850NTAG

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 9,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 90 A 80 V H2PAK, 3 broches (1000), STH140N8F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 90 A 80 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 120 A 80 V H2PAK, 2 broches (1000), STH170N8F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 120 A 80 V H2PAK, 2 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de puissance maximum : 250 W Dimensions : 10.4 x

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 240 A 100 V H-PSOF, 8 broches (2000), FDBL86066-F085

★ ★ ★ ★ ☆ 8,4/10

MOSFET, Canal-N, 240 A 100 V H-PSOF, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 4,1 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches (2), STH150N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,6/10

MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 3,9 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 700 mA 450 V SOIC, 8 broches (2500), FW276-TL-2H

★ ★ ★ ★ ☆ 8,3/10

MOSFET, Canal-N, 700 mA 450 V SOIC, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 12,1 Ω Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Isolé Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 240 A 100 V H-PSOF, 8 broches (5), FDBL86066-F085

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 240 A 100 V H-PSOF, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 4,1 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie

ON Semiconductor MOSFET, N/P-Channel 5,6 A, 9,3 A 20 V, 30 V SOIC, 8 broches (2500), FDS4501H

★ ★ ★ ★ ☆ 7,6/10

MOSFET, N/P-Channel 5,6 A, 9,3 A 20 V, 30 V SOIC, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 29 mΩ, 80 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 0.4V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Drain commun Mode canal : Enrichissement Dissipation de

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 10 A 250 V IPAK, 3 broches (500), NDDP010N25AZ-1H

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 10 A 250 V IPAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 420 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (10), NVMFS6H818NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK, 7 broches (1000), STH310N10F7-6

★ ★ ★ ★ ☆ 8,7/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK, 7 broches Résistance Drain Source maximum : 2,3 MΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches (1500), NTMFS6H818NT1G

★ ★ ★ ★ ☆ 8,2/10

MOSFET, Canal-N, 123 A 80 V DFN, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 3,7 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK-2, 3 broches, STH180N10F3-2

★ ★ ★ ★ ☆ 7,9/10

MOSFET, Canal-N, 180 A 100 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 4,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 80 A 100 V H2PAK-2, 3 broches (5), STH80N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,1/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 100 V H2PAK-2, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 9,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal :

Infineon MOSFET, Canal-N, 8,7 A 150 V A-220, 5 broches (50), IRFI4019H-117P

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 8,7 A 150 V A-220, 5 broches Résistance Drain Source maximum : 95 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.9V Tension de seuil minimale de la grille : 3V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Série Mode canal :

Infineon MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V A-220, 3 broches (50), IPP80N06S2H5AKSA1

★ ★ ★ ★ ☆ 8,5/10

MOSFET, Canal-N, 80 A 55 V A-220, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 5,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2.1V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : Traversant Configuration du transistor : Simple Mode canal :

ON Semiconductor MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches (1500), NTTFS6H850NTAG

★ ★ ★ ★ ☆ 7,8/10

MOSFET, Canal-N, 68 A 80 V WDFN, 8 broches Résistance Drain Source maximum : 9,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : ±20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie :

STMicroelectronics MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches (5), STH110N10F7-2

★ ★ ★ ★ ☆ 8,0/10

MOSFET, Canal-N, 110 A 100 V H2PAK, 3 broches Résistance Drain Source maximum : 6,5 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V Tension de seuil minimale de la grille : 2.5V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement